比較垂直型金屬基層MvpLED與傳統(tǒng)型藍(lán)寶石基板之氮化鎵LED之電流-電壓(I-V)曲線，當(dāng)順向偏壓驅(qū)動電流為350mA時，垂直型金屬基層MvpLED之順向電壓比統(tǒng)型藍(lán)寶石基板之氮化鎵LED之順向電壓少0.2V。再由曲線的斜率大小可以發(fā)現(xiàn)，垂直型金屬基層MvpLED之動態(tài)電阻只有0.7Ω，此結(jié)果小于傳統(tǒng)型藍(lán)寶石基板之氮化鎵LED的1.1Ω，這是因為傳統(tǒng)型藍(lán)寶石基板之氮化鎵LED電流傳輸為水平方向而且電流會有在n型電極下的擁擠現(xiàn)象所造成較大的動態(tài)電阻。值得一提的是，較小的操作電壓表示輸入功率與光輸出功率所計算之發(fā)光效率可以提升。較低的操作動態(tài)電阻也顯示了有較少的熱產(chǎn)生，優(yōu)于傳統(tǒng)之設(shè)計。根據(jù)輸入電流與輸出光亮度關(guān)系圖(L-I)，垂直型金屬基層MvpLED可以通3000mA的大電流(Pulsemode)，即使電流再增加也不會使輸出飽和，這是因為此設(shè)計的金屬合金基層的導(dǎo)熱特性較佳所具有的優(yōu)越表現(xiàn)。這種具有大電流操作特性的組件來說，垂直型金屬基層MvpLE擁有最佳的散熱金屬基層，容許大電流的操作。對于固態(tài)照明的應(yīng)用來說，操作大電流以實現(xiàn)足夠照明亮度的需求應(yīng)用，垂直型金屬基層MvpLED實為固態(tài)照明應(yīng)用上的首選。經(jīng)由制造不同尺寸的垂直型金屬基層MvpLED芯片并計算其歸一化(相同電流密度)之單位輸出光亮度，旭明證明了垂直型金屬基層MvpLED在不同尺寸上的優(yōu)異表現(xiàn)。傳統(tǒng)型藍(lán)寶石基板之氮化鎵LED會有隨著芯片尺寸增大而其效能于相同電流密度下卻反之下降，而這個現(xiàn)象在垂直型金屬基層MvpLED芯片并未出現(xiàn)，而且維持在同樣的發(fā)光效率。所以旭明可以說，以單一種垂直型金屬基層MvpLED的技術(shù)，就可以實現(xiàn)在不同晶粒尺寸的制作技術(shù)。