旭明以特有專利申請(qǐng)中的磊晶沉漬技術(shù)，此技術(shù)是LED在藍(lán)寶石基材上成長額外的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)使得藍(lán)寶石基材可以移除。LED在金屬基層上形成之后，也在n-GaN表面上制作圖案來克服氮化鎵材料內(nèi)部的光全反射損失，增加取光效率。旭明光電的垂直型金屬基層MvpLED技術(shù)克服了傳統(tǒng)型與覆晶封裝型的效率不佳的問題，舉例而言，第一點(diǎn)，此技術(shù)并不需移除n型電極接腳上的任何東西，同尺寸晶粒下，傳統(tǒng)型藍(lán)寶石基板之氮化鎵LED相比較而言，其發(fā)光的面積較大。第二點(diǎn)，因?yàn)殡娫匆源怪狈较蛄鹘?jīng)組件而大幅降低動(dòng)態(tài)電阻，而電流聚集也被可避免。再者，由于n型氮化鎵本身具有較好的電傳導(dǎo)率，在無須制作透明電極層的情況下，依然具有很好的電流散布，因此沒有透明電極吸光而降低亮度的困擾，可具有較高亮度的光輸出。第三點(diǎn)，由于垂直型金屬基層MvpLED之金屬基層具有很高的熱傳導(dǎo)率，所以垂直型金屬基層MvpLED的導(dǎo)熱效率很好。第四點(diǎn)，垂直型金屬基層MvpLED的出光方向?yàn)閱我环较?，向上射出，而傳統(tǒng)型藍(lán)寶石基板之氮化鎵LED的出光方向確有六個(gè)面向來射出，因此不論在克服全反射效應(yīng)的出光或于封裝晶粒時(shí)將光收集的效應(yīng)來看，垂直型金屬基層MvpLED具有最好的光取出與光收集，達(dá)成最佳發(fā)光的效率。綜合以上所言，垂直型金屬基層MvpLED可以實(shí)現(xiàn)固態(tài)照明應(yīng)用上時(shí)之高工作電流與高功率操作之要求。

　　4、MvpLED組件優(yōu)點(diǎn)：

　　根據(jù)各種不同基板之熱傳導(dǎo)率比較，相較于一般目前商業(yè)化所用的晶?；?，藍(lán)寶石、硅板、鍺、氮化鎵、碳化硅來說，MvpLED之金屬基層具有相對(duì)較高之熱傳導(dǎo)率，顯示具有更加的散熱能力。旭明已使用垂直型金屬基層MvpLED技術(shù)在15mil,24mil,28mil,40mil,60mil不同晶粒尺寸的制作。