GaN基LED外延材料缺陷對其器件可靠性的影響
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上傳人：蔡偉智 上傳時間： 2013-03-25 瀏覽次數(shù)： 50 |
| 作者 | 蔡偉智 |
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| 單位 | 廈門三安光電科技有限公司 |
| 分類號 | TN312.8 |
| 發(fā)表刊物 | 《半導體技術》 |
| 發(fā)布時間 | 2009年 |
摘要：采用X光雙晶衍射儀分析了GaN基發(fā)光二極管外延材料晶體結構質量并制成GaN-LED芯片,對分組抽取特定區(qū)域芯片封裝成的GaN-LED器件進行可靠性試驗。對比分析表明,外延晶片中的微缺陷與器件可靠性的關系密切;減少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通過建立從外延片晶體結構質量、芯片光電參數(shù)分布到器件可靠性的分析實驗方法,為GaN-LED外延材料生長工藝的優(yōu)化和改善提供依據,達到預測和提高器件可靠性的目的。
0引言GaNLED自1995年日本中村先生成功研制以來,近幾年其技術以驚人的速度迅猛發(fā)展。在可靠性方面,雖然在上、中、下游研發(fā)和生產等各個環(huán)節(jié)中備受重視,但是外延材料對器件可靠性和性能的影響研究,受上游至下游產業(yè)學科跨度大的限制,分析實驗難度較高;與其他半導體器件一樣的
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