國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇

　　International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China(IFWS)

　　2017年11月1-3日

　　中國(guó)·北京·首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店

　　2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會(huì)議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)主辦，得到科技部，發(fā)改委，工信部，北京政府等相關(guān)部門(mén)大力支持。

　　會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。

　　大會(huì)主席

　　Umesh K. MISHRA——美國(guó)國(guó)家工程院院士、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人

　　美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校杰出教授

　　曹健林--中華人民共和國(guó)科學(xué)技術(shù)部原副部長(zhǎng)

　　技術(shù)程序委員會(huì)

　　主任

　　鄭有炓--南京大學(xué)教授、中科院院士

　　副主任

　　劉 明--中科院微電子所教授、中國(guó)科學(xué)院院士

　　張 榮--山東大學(xué)校長(zhǎng)、南京大學(xué)教授

　　陳 敬--香港科技大學(xué)教授

　　邱宇峰--國(guó)家電網(wǎng)智能研究院副院長(zhǎng)

　　張國(guó)義--北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任

　　沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

　　主辦單位

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

　　中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)

　　支持單位

　　國(guó)家科學(xué)技術(shù)部

　　國(guó)家發(fā)展與改革委員會(huì)

　　國(guó)家工業(yè)與信息產(chǎn)業(yè)部

　　北京市人民政府

　　協(xié)辦單位

　　首都創(chuàng)新大聯(lián)盟

　　國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

　　國(guó)際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟(ISA)

　　中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)

　　中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料分會(huì)

　　中國(guó)電力電子行業(yè)協(xié)會(huì)

　　中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

　　SEMI

　　中國(guó)照明學(xué)會(huì)

　　中國(guó)智能家居產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

　　中國(guó)可再生能源學(xué)會(huì)

　　能源互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟

　　TD產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

　　中國(guó)智慧城市產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

　　論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿給SSLCHINA的優(yōu)質(zhì)論文，會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書(shū)館發(fā)表征文重點(diǎn)內(nèi)容

　　S1: 碳化硅材料與器件

　　碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度，在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車等一些重要領(lǐng)域展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅電力電子器件的持續(xù)進(jìn)步將對(duì)電力電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起到重要的推動(dòng)作用。本分會(huì)的主題涵蓋SiC襯底、同質(zhì)外延和電力電子器件技術(shù)。分會(huì)廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加本次會(huì)議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術(shù)的最新進(jìn)展。

　　征文方向：

　　SiC晶體生長(zhǎng)和加工

　　SiC同質(zhì)外延

　　SiC材料缺陷控制與表征方法

　　SiC電力電子芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真

　　SiC電力電子芯片工藝

　　SiC電力電子芯片可靠性

　　SiC電力電子芯片測(cè)試和表征

　　SiC電力電子芯片的其他新技術(shù)

　　分會(huì)主席：

　　盛 況--浙江大學(xué)教授

　　分會(huì)委員：

　　徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)教授

　　陳小龍--中科院物理所教授

　　張玉明--西安電子科技大學(xué)教授

　　張安平--西安交通大學(xué)教授

　　柏 松--中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員

　　王德君--大連理工大學(xué)教授

　　S2: 氮化鎵功率電子器件

　　氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。本分?huì)的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長(zhǎng)、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開(kāi)發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加本次會(huì)議，呈現(xiàn)氮化鎵電力電子器件研究與應(yīng)用的最新進(jìn)展。

　　征文方向：

　　大尺寸襯底上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)和缺陷、應(yīng)力控制

　　GaN基電力電子器件技術(shù)

　　GaN襯底材料和厚膜同質(zhì)外延

　　GaN器件封裝技術(shù)

　　GaN電力電子應(yīng)用

　　GaN電力電子技術(shù)的市場(chǎng)研究

　　分會(huì)主席：

　　陳 敬--香港科技大學(xué)教授

　　徐 科--中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米測(cè)試中心主任、蘇州納維科技有限公司董事長(zhǎng)

　　分會(huì)委員：

　　李順?lè)?-北京大學(xué)東莞光電研究院副院長(zhǎng)

　　陳 鵬--南京大學(xué)教授

　　張國(guó)旗--代爾夫特理工大學(xué)教授

　　晏文德--中興通訊股份有限公司副總裁、中興通訊能源研究院院長(zhǎng)

　　S3: SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性

　　寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件近年來(lái)不斷獲得技術(shù)的突破，具備廣泛的市場(chǎng)應(yīng)用前景。這類器件具備更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)勢(shì)，在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、充電樁、電力轉(zhuǎn)換及管理系統(tǒng)和工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域等已展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。因此，針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝及可靠性技術(shù)是推動(dòng)其快速市場(chǎng)化并廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵。本分會(huì)的主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計(jì)、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評(píng)價(jià)等方面。分會(huì)廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名與家參加本次會(huì)議，充分展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評(píng)價(jià)的最新進(jìn)展。

　　征文方向：

　　SiC/GaN電力電子器件封裝設(shè)計(jì)和仿真

　　SiC/GaN電力電子器件封裝集成

　　SiC/GaN電力電子器件封裝熱散熱

　　SiC/GaN電力電子器件封裝材料和工藝

　　SiC/GaN電力電子器件封裝可靠性

　　SiC/GaN電力電子器件驅(qū)動(dòng)保護(hù)

　　SiC/GaN電力電子器件測(cè)試和監(jiān)測(cè)

　　SiC/GaN電力電子器件應(yīng)用

　　SiC/GaN電力電子器件封裝其他新技術(shù)

　　分會(huì)主席：

　　陸國(guó)權(quán)--天津大學(xué)教授

　　張國(guó)旗--代爾夫特理工大學(xué)教授

　　分會(huì)委員：

　　于坤山--北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司總裁

　　趙爭(zhēng)鳴--清華大學(xué)教授

　　楊 霏--國(guó)家電網(wǎng)智能研究院高級(jí)工程師

　　張安平--西安交通大學(xué)教授

　　柏 松--中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員

　　陶國(guó)橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師

　　王德君--大連理工大學(xué)教授