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三安光電絕非LED勢頭猛 三年內(nèi)將再打造一個行業(yè)龍頭

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2017-04-19 作者: 來源:長江電子 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 合物半導(dǎo)體將打開公司未來空間。行業(yè)層面看,5G通信、功率電子對于砷化鎵/氮化鎵材質(zhì)的需求將更進(jìn)一步,產(chǎn)業(yè)鏈形成fabless+fab的模式將是必然,未來三安在化合物領(lǐng)域?qū)⒓耐幸試蚁M砷L為類似于臺積電這樣的全球化的制造龍頭,開啟類似于臺積電的成長模式將非常值得期待。

  三安在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局

  定增募集資金投向化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目

  公司2015年公布定向增發(fā),募集資金投入到廈門光電產(chǎn)業(yè)化(二期)項(xiàng)目及通訊微電子器件(一期)項(xiàng)目。

  據(jù)公司最新定期報告,化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)已有多家客戶參與試樣驗(yàn)證,部分芯片已通過性能驗(yàn)證,部分客戶已開始少量出貨。公司2016年三安集成實(shí)現(xiàn)1725.96萬元銷售收入,公司后續(xù)將盡快完成其他產(chǎn)品的認(rèn)證,加快新設(shè)備采購進(jìn)度,加快并購步伐并盡快落實(shí)項(xiàng)目,提升核心競爭力和盈利能力。

  聯(lián)手大基金做大做強(qiáng)

  2015年6月,三安集團(tuán)將福建三安持有的三安光電2.17億股股份(約占總股本的9.07%)轉(zhuǎn)讓給集成電路產(chǎn)業(yè)基金,轉(zhuǎn)讓總金額為48.39億元,同年12月集成電路產(chǎn)業(yè)基金通過非公開發(fā)行擬投入16億用于通訊微電子器件(一期)項(xiàng)目,以GaAs和GaN等III-V族半導(dǎo)體為核心打造集成電路產(chǎn)業(yè)。至此,國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金正式成為公司的第二大股東。產(chǎn)業(yè)基金的入股,表明三安光電的技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)品能力得到了認(rèn)可,同時也奠定了未來三安光電在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)龍頭地位。

  融資實(shí)力得到大幅提升,2016年公司與國開行共同簽署《開發(fā)性金融合作協(xié)議》,《合作協(xié)議》通過并購貸款、項(xiàng)目貸款,集團(tuán)統(tǒng)借等方式與公司更加深度的合作,并且也拉開了國開行300 億資金重點(diǎn)布局LED芯片、集成電路等領(lǐng)域的序幕。受到了注資的三安,能有更多的余力實(shí)現(xiàn)并購或者項(xiàng)目拓展,表現(xiàn)值得期待。

  與GCS合作共贏

  2016年11月,公司與GCS成立合資公司——廈門三安環(huán)宇集成電路有限公司,其中三安光電出資204萬美元,占比51%。GCS擁有先進(jìn)成熟的生產(chǎn)工藝技術(shù),沒有足夠的產(chǎn)能;三安光電則處于工藝的摸索階段,有先進(jìn)的設(shè)備和足夠的產(chǎn)能。兩者結(jié)合可以以迅速提升公司在射頻通訊和光通訊元件技術(shù)水平和專利平臺的構(gòu)筑,廣闊的客戶網(wǎng)絡(luò)與公司現(xiàn)有業(yè)務(wù)技術(shù)與產(chǎn)能形成互補(bǔ),為公司集成電路開拓海內(nèi)外市場提供強(qiáng)有力保障,有利于加快公司集成電路業(yè)務(wù)的發(fā)展進(jìn)程,擴(kuò)大業(yè)務(wù)范圍及規(guī)模,提高公司盈利水平,提升公司核心競爭力。

  為服務(wù)RFIC/MMIC行業(yè),GCS提供廣泛的III-V族化合物半導(dǎo)體制程技術(shù)組合,包括GaAs PHEMT、GaN HEMT等制程技術(shù),以提升客戶產(chǎn)品性能和市場競爭力。公司的GaAs PHEMT工藝可以制作低成本手機(jī)開關(guān)、高達(dá)40GHz的功率放大器芯片(PA)、低噪聲放大器芯片(LNA)等。此外,硅基氮化鎵射頻功率放大器(RF PA)的制程技術(shù)也已經(jīng)通過大批量生產(chǎn)所需的驗(yàn)證。

  GCS正在開發(fā)氮化鎵制程技術(shù),以供功率電子的應(yīng)用,諸如太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電機(jī)、traction、不斷電的電力供應(yīng)器(UPS)、馬達(dá)驅(qū)動及混合電動車/全電動汽車?!?/p>

  GaN功率電子的工藝技術(shù)為0.5um的制程,包括Si基GaN技術(shù)和SiC基GaN技術(shù)兩種。相比較而言,Si基GaN產(chǎn)品成本更低,而SiC基GaN產(chǎn)品性能更好。

  我們認(rèn)為,伴隨著LED芯片行業(yè)產(chǎn)能逐漸出清,行業(yè)集中度正在快速提升,行業(yè)供需存異推進(jìn)價格理性、三安作為行業(yè)龍頭將充分享受寡頭紅利。未來兩年公司LED業(yè)務(wù)將持續(xù)享受市場高景氣下訂單與價格的雙重利好。

  化合物半導(dǎo)體將打開公司未來新的成長空間,全球范圍內(nèi)5G、軍工、功率電子等領(lǐng)域?qū)τ谏榛?氮化鎵器件的需求正在迅速增加,三安光電依托大基金,在人才、技術(shù)和產(chǎn)能上快速積累,有望迅速做大做強(qiáng),成為化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的臺積電。

  三安光電基本面不斷給市場以驚喜,在行業(yè)供需格局的加持與公司自身不斷進(jìn)步之下,我們看好未來三安成為全球芯片業(yè)巨頭的實(shí)力,一季度的高增長將只是一個起點(diǎn),因此我們持續(xù)重點(diǎn)推薦,并上調(diào)盈利預(yù)測至2017-2019年EPS分別為0.72、0.93、1.15

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