2月5日，《紐約時(shí)報(bào)》刊登題為《美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片雄心的擔(dān)憂與日俱增》的文章，文章中稱，“中國(guó)正投入巨資打造本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，這一提升其軍事力量及本土科技產(chǎn)業(yè)的舉動(dòng)引起華盛頓的注意”。而在2016年1月下旬，美國(guó)外商投資委員會(huì)否決了中國(guó)投資者以29億收購(gòu)飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務(wù)的提議，就是美國(guó)政府擔(dān)憂的具體體現(xiàn)。這早已不是第一次中資收購(gòu)國(guó)外科技公司被美國(guó)政府阻擾，從早些年華為試圖收購(gòu)3COM，到去年紫光提出收購(gòu)鎂光被否決，中資在海外收購(gòu)科技公司被行政力量阻撓已經(jīng)屢見不鮮。

　　美國(guó)為何阻撓收購(gòu)

　　美國(guó)政府要阻止的并非中國(guó)投資人所收購(gòu)的照明業(yè)務(wù)本身，而是要阻止中國(guó)投資人通過(guò)收購(gòu)飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務(wù)后，進(jìn)而掌握第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的相關(guān)技術(shù)。

　　半導(dǎo)體材料發(fā)展至今已歷三代：第一代半導(dǎo)體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運(yùn)用于集成電路制造領(lǐng)域;第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應(yīng)用于以光發(fā)射器件為基礎(chǔ)的光顯示、光通信和光存儲(chǔ)等光電子系統(tǒng);第三代半導(dǎo)體材料則以氮化鎵、碳化硅、金剛石為代表，具有具有寬的帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、高熔點(diǎn)(1700攝氏度)、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。特別是在傳統(tǒng)材料的功率器件發(fā)展到材料極限，已經(jīng)很難滿足高頻、高溫、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情況下，氮化鎵則可憑借其材料特性，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面取而代之。

　　氮化鎵、碳化硅與硅的性能對(duì)比

　　也正是因此，諸多科技公司紛紛致力于氮化鎵功率器件的研發(fā)和生產(chǎn)——2015年1月，富士通和美國(guó)Transphorm在會(huì)津若松量產(chǎn)氮化鎵功率器件;2015年3月，松下和英飛凌達(dá)成共同開發(fā)氮化鎵功率器件的協(xié)議;同月，東芝照明技術(shù)公司開發(fā)出在電源中應(yīng)用氮化鎵功率元件的鹵素LED燈泡……國(guó)內(nèi)也有中航微電子、中鎵半導(dǎo)體等公司從事該領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)，上海市政府則投入100億資金用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)(不局限于氮化鎵)。

　　可以說(shuō)，氮化鎵已經(jīng)全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。那么，“高大上”的第三代半導(dǎo)體材料是怎樣和普普通通的電燈產(chǎn)生交集的呢?

　　由于氮化鎵的優(yōu)異材料特性——氮化鎵基LED比傳統(tǒng)LED外形更小、功率更高、發(fā)光度更強(qiáng)，使其在LED電視、顯示器和普通照明領(lǐng)域獲得大展拳腳的空間，而中國(guó)一旦完成對(duì)飛利浦旗下子公司Lumileds的控股，則有可能獲得氮化鎵方面的相關(guān)技術(shù)。

　　更關(guān)鍵的是，氮化鎵在高頻大功率應(yīng)用方面，其功率密度是現(xiàn)有的砷化鎵材料器件的10倍，不僅可以廣泛運(yùn)用于通信基站、電動(dòng)機(jī)車、電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電等民用領(lǐng)域，還可以用于相控陣?yán)走_(dá)等特殊領(lǐng)域。

　　因此，無(wú)論是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，還是在軍事應(yīng)用方面，氮化鎵都有非常重要的意義。美國(guó)政府之所以阻止中國(guó)投資人收購(gòu)飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務(wù)，既有出于技術(shù)在軍事應(yīng)用和國(guó)家安全方面的考慮，但更多的還是出于打壓中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，保持美國(guó)科技公司技術(shù)優(yōu)勢(shì)方面的考量。