圖3表示同種材料同種類型，功能完好且連接狀態(tài)良好的紅色LED i個(gè)不同樣品的檢測(cè)結(jié)果隨激勵(lì)光強(qiáng)度變化的情況。三個(gè)樣品是從引線支架連接在一起的20個(gè)LED巾隨機(jī)抽取的。為了便于觀察，檢測(cè)的電壓信號(hào)幅值已換算成光激勵(lì)pn結(jié)時(shí)產(chǎn)生的光生電流I_L。

　　由圖3可知。三個(gè)樣品在相同的光照下產(chǎn)生的光生電流是很接近的，并且光生電流I_L與光照強(qiáng)度P₀成正比，幾個(gè)樣品之間的固定誤差可能是因?yàn)楣庹瘴恢玫奈⑿∑钤斐傻摹．?dāng)激勵(lì)光功率為2 mW時(shí)，產(chǎn)生的光生電流大約為96μA，這比理論計(jì)算值小5μA，這是因?yàn)槔碚撚?jì)算時(shí)未考慮LED串聯(lián)電阻的影響，兇此可以認(rèn)為實(shí)驗(yàn)與2.1節(jié)中理論分析結(jié)果第2)條和第3)是符合的。

　　在圖l所示的等效電路中，R_s2也與負(fù)載R_L是串聯(lián)的，由于電極的電阻以及電極和結(jié)之間的接觸電阻R_s2很難直接測(cè)量，因此實(shí)驗(yàn)中通過(guò)串聯(lián)不同的負(fù)載電阻R_L，來(lái)模擬接觸電阻R_s對(duì)檢測(cè)結(jié)果造成的影響。在激勵(lì)光功率為2 mw時(shí)(此時(shí)產(chǎn)生的光生電流I_L約為96μA)，得到圖3中樣品1l流過(guò)負(fù)載的電流I與負(fù)載電阻R_L的變化關(guān)系。如圖4所示。

　　由圖4可知，隨著外加負(fù)載R_L的增大，流過(guò)負(fù)載的電流越來(lái)越小，尤其從圖4(b)可以看出，當(dāng)外加負(fù)載為0時(shí)，負(fù)載電流為96μA，而當(dāng)負(fù)載電阻變化到0.4Ω，負(fù)載電流下降到7lμA，下降率達(dá)26％，由于串聯(lián)電阻R_s的值無(wú)法準(zhǔn)確估計(jì)，因此實(shí)驗(yàn)結(jié)果與2.2結(jié)中理論計(jì)算的值有差異。實(shí)驗(yàn)與理論都表明，接觸電阻R_s的微小變化會(huì)使支架上流過(guò)的電流I產(chǎn)生很大的改變。對(duì)于功能完好的LED芯片，通過(guò)測(cè)肇支架上流過(guò)的光生電流I可以計(jì)算得到I,ED的串聯(lián)電阻R_s,若串聯(lián)電阻值無(wú)窮大，則芯片與電極之間可能出現(xiàn)了脫膠、漏焊或者焊絲斷裂問(wèn)題，若串聯(lián)電阻與正常連接狀態(tài)下的串聯(lián)電阻有大的差異，則芯片與電極之間可能出現(xiàn)其它的焊接問(wèn)題，如虛焊，重復(fù)焊接等。因此，通過(guò)分析支架上流過(guò)的光生電流值，可以檢測(cè)LED封裝過(guò)程中芯片與引線支架之間的電氣連接狀態(tài)。