功率型LED工作時產(chǎn)生的熱量會使晶片溫度升高。如果LED的散熱問題處理不好，就有可能使晶片溫度升高到超過所允許的最高結(jié)溫，從而導致LED的性能退化或失效。

　　大功率LED封裝由于結(jié)構(gòu)和工藝復雜，并直接影響到LED的使用性能和壽命，一直是近年來的研究熱點。

　　LED散熱途徑

　　不同的封裝方式與技術(shù)，其散熱方法有所不同，而LED各種散熱途徑方法如圖一所示：

　　散熱途徑說明：

　?、?從空氣中散熱;

　?、?熱量直接由System circuit board導出;

　?、?經(jīng)由金線將熱量導出;

　　④ 若為共晶及Flip chip制程，熱量將經(jīng)由芯片至基板導出。

　　然而，現(xiàn)階段的散熱瓶頸，多數(shù)發(fā)生在將熱量從LED晶片傳導至其基板再到系統(tǒng)電路板為主。此部分的可能散熱途徑：

　　其一為直接由晶片基板傳導至系統(tǒng)電路板(如圖一途徑②所示)，在此散熱途徑里，其LED晶片基板材料的熱散能力是很重要的參數(shù)。

　　其二，LED所產(chǎn)生的熱也會經(jīng)由電極金屬導線至系統(tǒng)電路板，一般而言，利用金線方式做電極Bond下，散熱受金屬線本身較細長的幾何形狀而受限(如圖一途徑③所示);因此，開發(fā)共晶 (Eutectic) 或覆晶(Flip chip)接合方式將大幅減少導線長度，并大幅增加導線截面積，如此一來，由LED電極導線至系統(tǒng)電路板的散熱效率將有效提升(如圖一途徑④所示)。