3) 正向電壓降低70%以上，減少了損耗和部件個數(shù)

　　SiC-MOSFET的體二極管，在SiC物質(zhì)特性的原理上決定了其開啟電壓較大，高達(dá)2.5V以上，常常成為逆變器工作時的損耗。“SCH2080KE”集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內(nèi)，大大降低了正向電壓。不僅損耗更低，還可減少部件個數(shù)。

　　4) 無尾電流，可進(jìn)行低損耗開關(guān)

　　由于不會產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流，因此關(guān)斷時的開關(guān)損耗可減少90%，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達(dá)到了Si-IGBT無法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率，因此，可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。

　　【術(shù)語解說】

　　體二極管(Body diode)

　　MOSFET的結(jié)構(gòu)中，寄生于內(nèi)部而形成的二極管。逆變器工作時，電流經(jīng)過此二極管，因此要求具備低VF值和高速恢復(fù)特性。

　　尾電流(Tail current)

　　IGBT中的關(guān)斷時流過的瞬態(tài)電流。因空穴注入的積累時間而產(chǎn)生。此期間內(nèi)需要較高的漏極電壓，因此產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗。

　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)

　　不僅電子，不同的空穴，電流流經(jīng)而實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的功率晶體管。因空穴注入的積累時間無法高速動作，具有開關(guān)損耗較大的問題。

　　正向電壓(VF　：Forward Voltage)

　　正向電流流經(jīng)時二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小耗電量越小。

　　導(dǎo)通電阻

　　功率元件工作時的電阻值。這是影響功率MOSFET性能的最重要的參數(shù)，數(shù)值越小性能越高。