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焦點 | 國星光電Micro LED最新進展

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2020-11-30 作者: 來源:國星光電 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 在顯示技術(shù)領(lǐng)域,Micro LED和Mini LED是近年十分火熱的兩個概念,它們賦予了LED更多應(yīng)用的可能性,可往如電視、顯示器、車載顯示等需要更高分辨率的應(yīng)用場景延伸,市場前景廣闊,潛力強勁。

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在顯示技術(shù)領(lǐng)域,Micro LED和Mini LED是近年十分火熱的兩個概念,它們賦予了LED更多應(yīng)用的可能性,可往如電視、顯示器、車載顯示等需要更高分辨率的應(yīng)用場景延伸,市場前景廣闊,潛力強勁。


Mini LED顯示

像素點間距在0.3-1.0mm之間,采用普通或巨量轉(zhuǎn)移方式將正裝/倒裝芯片轉(zhuǎn)移到基板上生成顯示產(chǎn)品。


Micro LED顯示

像素點間距≤0.3mm,采用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將倒裝芯片/垂直芯片鍵合到TFT玻璃背板或CMOS背板上生成顯示產(chǎn)品。

在應(yīng)用市場方面,Mini LED目前主要應(yīng)用在大尺寸電視顯示上,在小尺寸顯示應(yīng)用的超高清顯示,Mini LED較難突破技術(shù)極限,Micro LED應(yīng)運而生。

據(jù)LEDinside在2019年的報告中指出,Micro LED各項功能性指標(PPI、亮度、功耗、薄度等)均表現(xiàn)優(yōu)異,未來成長空間巨大,市場規(guī)模有望達到300-400億美元。


01
四大挑戰(zhàn)
Micro LED顯示產(chǎn)業(yè)化前行受阻

Micro LED前景雖可期,但現(xiàn)階段的技術(shù)尚不到位。由于Micro LED需要處理極高數(shù)量與極小尺寸的芯片,在其顯示封裝技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化面臨多項挑戰(zhàn):

▌結(jié)構(gòu)設(shè)計

傳統(tǒng)分立器件貼裝結(jié)構(gòu),除我司獨有的IMD封裝技術(shù)外,其他均難以達到P0.X要求,超薄、超高清等顯示要求對Micro LED顯示封裝結(jié)構(gòu)提出新挑戰(zhàn);

▌工藝開發(fā)

Micro LED顯示制造技術(shù)從實現(xiàn)路徑到成本良率面臨諸多挑戰(zhàn),包括芯片制造、巨量轉(zhuǎn)移與鍵合、全彩化顯示等技術(shù)難題;

▌可靠性

Micro LED顯示屏用器件劇增,巨量集成導(dǎo)致焊接、封裝質(zhì)量和壞點維修難度大;

▌系統(tǒng)集成

系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)指標暫無統(tǒng)一規(guī)范的指導(dǎo)標準,Micro LED顯示暫無豐富內(nèi)容和終端支持。


02

持續(xù)創(chuàng)新

國星Micro LED領(lǐng)域再獲突破

打破Micro LED關(guān)鍵技術(shù)難點,需要開發(fā)適合Micro LED的工藝技術(shù)路線,并有新材料、新設(shè)備配套支持。國星光電作為國內(nèi)知名封裝龍頭,一直高度關(guān)注Micro LED顯示技術(shù)的進展,堅持自主創(chuàng)新,協(xié)同產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié),力克技術(shù)難關(guān),積極投入技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品布局。

今年6月,國星第一代Micro LED顯示新品 nStarⅠ正式面世,采用玻璃基板工藝,具備更高精度,更高透過率的優(yōu)勢;采用RGB芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),色域大于100%NTSC,使全彩化顯示更真實;采用一體式超薄封裝技術(shù),可兼顧散熱與顯示一致性;同時具備更低能耗與更高可靠性的優(yōu)勢,實現(xiàn)被動式驅(qū)動Micro LED全彩顯示屏。


國星Micro LED顯示新品 nStar Ⅰ


11月25日,國星光電研究院主任工程師章金惠博士應(yīng)邀出席第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2020)暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2020),并在論壇的“Mini/Micro-LED與其它新型顯示技術(shù)分會”上分享了《從Mini到Micro LED技術(shù)演變的思考、問題及進展》主題報告,為大家詳細介紹了國星Micro LED技術(shù)的最新進展。



目前,國星光電在Micro LED領(lǐng)域已實現(xiàn)了較大的技術(shù)突破,在第一代Micro LED顯示屏的基礎(chǔ)上,已與面板廠合作開發(fā)出基于TFT玻璃背板的主動式驅(qū)動Micro LED全彩顯示屏。近日,采用自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),已經(jīng)初步實現(xiàn)250PPI以上紅/綠/藍單色轉(zhuǎn)移鍵合點亮。

預(yù)計明年將實現(xiàn)P0.1以下的主動式驅(qū)動全彩顯示及P0.0x以下的被動式驅(qū)動單色顯示,未來可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設(shè)備顯示設(shè)備、AR/VR等應(yīng)用市場。


國星光電Micro LED Roadmap


03

迸發(fā)力量

國星創(chuàng)新平臺開放合作共攻難題

一直以來,國星光電始終積極布局新型微顯示賽道,以先進技術(shù)領(lǐng)先行業(yè)。目前已成立國星研究院、微顯示企業(yè)重點實驗室、Micro&Mini LED研究中心三大創(chuàng)新科研平臺,通過開放合作的模式,加強與學(xué)術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界協(xié)作,聯(lián)手產(chǎn)業(yè)鏈上中下游各個環(huán)節(jié),集中優(yōu)勢資源攻克微顯示行業(yè)技術(shù)性難題,合力打破技術(shù)發(fā)展瓶頸,并積極研發(fā)定制化、先進的LED顯示封裝解決方案,推動科研技術(shù)成果孵化,共同推進Micro LED產(chǎn)業(yè)化,實現(xiàn)共贏。


今年,廣東省半導(dǎo)體微顯示企業(yè)重點實驗室和國星光電研究院正式揭牌


接下來,國星光電將繼續(xù)聯(lián)動創(chuàng)新科研力量,始終堅持技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略部署,以硬核的研發(fā)實力和領(lǐng)先的技術(shù)儲備為市場提供更全更優(yōu)的微型顯示封裝技術(shù)方案,力推新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大!


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