據(jù)BusinessKorea報(bào)道，韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉，這是韓國在努力減少在材料與零部件領(lǐng)域?qū)θ毡镜囊蕾囍H實(shí)現(xiàn)的技術(shù)突破。

研究團(tuán)隊(duì)使用由銅和碘合成的碘化亞銅（CuI）化合物來生產(chǎn)藍(lán)光，并發(fā)現(xiàn)碘化亞銅半導(dǎo)體發(fā)射出的藍(lán)光亮度是氮化鎵半導(dǎo)體的10倍以上。同時(shí)，碘化亞銅半導(dǎo)體在效率與設(shè)備長期穩(wěn)定性方面的表現(xiàn)也更好。

據(jù)悉，LED需要紅綠藍(lán)LED來生產(chǎn)白光，而日本已經(jīng)開發(fā)出制造高質(zhì)量氮化鎵的方法，氮化鎵生產(chǎn)的藍(lán)光LED是智能手機(jī)、顯示器、電子產(chǎn)品及高頻設(shè)備等的核心器件。

KIST研究者開發(fā)出的碘化亞銅可在低成本的硅襯底上生長，且缺陷率低，因此碘化亞銅在使用目前已商用化的大尺寸硅襯底（300mm）上具備優(yōu)勢。同時(shí)，碘化亞銅薄膜的生長溫度與硅基工藝中使用的溫度相似，即低于300攝氏度。因此，可在不犧牲其性能的條件下沉積碘化亞銅薄膜，鑒于此，它能夠應(yīng)用到低成本、簡單的硅半導(dǎo)體工藝中。

該研究結(jié)果意義重大在于，在全球范圍內(nèi)首次展示了采用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)，此技術(shù)通過在硅襯底上生長高質(zhì)量銅鹵素單晶碘化亞銅并實(shí)現(xiàn)高效的藍(lán)光發(fā)射。此研究已發(fā)表在最新一期《科學(xué)報(bào)告》（Scientific Reports）的在線版本上，這是一本來自自然科研(Nature Research)大家族的多學(xué)科開放獲取期刊。