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Micro LED前瞻技術(shù):無需巨量轉(zhuǎn)移的量產(chǎn)技術(shù)

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2018-11-09 作者: 來源:LEDinside 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0
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摘要: 巨量轉(zhuǎn)移是Micro LED顯示屏幕技術(shù)中最大的技術(shù)瓶頸之一。業(yè)界目前正如火如荼地發(fā)展相關(guān)技術(shù),希望能盡快突破阻礙,推動Micro LED的商業(yè)化。在此次的Micro LED前瞻技術(shù)征文比賽中,巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)也是許多參賽文章的關(guān)注重點。

  巨量轉(zhuǎn)移是Micro LED顯示屏幕技術(shù)中最大的技術(shù)瓶頸之一。業(yè)界目前正如火如荼地發(fā)展相關(guān)技術(shù),希望能盡快突破阻礙,推動Micro LED的商業(yè)化。在此次的Micro LED前瞻技術(shù)征文比賽中,巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)也是許多參賽文章的關(guān)注重點。

  其中由柯全先生Thomas Q. Ke的研究論文提出無需巨量轉(zhuǎn)移的Micro LED量產(chǎn)方式。該論文指出,借由重新設(shè)計Micro LED的制造過程并運用現(xiàn)有技術(shù),就能有效率避開耗時費工的巨量轉(zhuǎn)移制程。論文提出的方法是,將Micro LED保留在磊晶基板上,移除3/4的Micro LED晶圓,用PI填平開孔,再在驅(qū)動電路制作于保留下來的1/4 LED旁。透過此方法,不需要巨量轉(zhuǎn)移制程也能制作出RGB Micro LED顯示屏幕。

  參與此次論文征集的評審指出,將驅(qū)動電路整合在Micro LED晶圓片上的技術(shù)方法,與Lumiode, eMagin, NthDegree,OSRAM等公司的技術(shù)類似。除了制程跟材料以外,此論文提出的方案跟其他技術(shù)最大的差異在于舍棄了3/4的LED晶圓材料,并由多出來的空間來換取RGB交錯排列跟驅(qū)動電路的擺放位置。

  為了要節(jié)省巨量轉(zhuǎn)移可能造成的大量成本跟時間,此篇研究論文選擇用材料的成本交換。這樣的技術(shù)取向在巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)尚未發(fā)產(chǎn)成熟前,或許能夠在量產(chǎn)上取得優(yōu)勢。然而,一旦巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)改善且成本逐漸降低,降到低于材料成本的四倍時,此方法便不再具有優(yōu)勢。

  原文:https://p.ledinside.com/led/2018-11/1541671675_81078.pdf


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