中游封裝領(lǐng)域，將突出硅基LED芯片大功率方向光的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，深挖路燈、背光源、通用照明燈應(yīng)用產(chǎn)品及汽車、家電等新的應(yīng)用領(lǐng)域需求，重點(diǎn)發(fā)展硅基大功率LED封裝，力爭(zhēng)到2020年實(shí)現(xiàn)封裝營(yíng)收超過(guò)200億元。器件封裝躍升工程重點(diǎn)項(xiàng)目包括鴻利光電子有限公司(鴻利光電子公司)年產(chǎn)162億只LED器件封裝項(xiàng)目(南昌)、聯(lián)創(chuàng)光電年產(chǎn)20億只各類功率型紅外監(jiān)控系統(tǒng)用LED器件封裝項(xiàng)目(南昌)、江西省木林森照明有限公司(木林森子公司)年產(chǎn)1000億只LED發(fā)光二極管項(xiàng)目(吉安)。

　　下游應(yīng)用領(lǐng)域則推動(dòng)面向各領(lǐng)域的LED照明用品發(fā)展，爭(zhēng)取到2020年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收800億元;強(qiáng)調(diào)發(fā)揮硅基LED獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，全面開發(fā)汽車大燈、探照燈、手機(jī)閃光燈、全彩顯示屏和背光源等特種照明及應(yīng)用產(chǎn)品。照明應(yīng)用開發(fā)工程重點(diǎn)項(xiàng)目涉及江西省木林森光電科技有限公司(木林森子公司)年產(chǎn)2億套LED高效節(jié)能照明產(chǎn)品項(xiàng)目(新余)、江西陽(yáng)光照明有限公司(陽(yáng)光照明子公司)年產(chǎn)8000萬(wàn)只LED高效節(jié)能照明燈具項(xiàng)目(鷹潭)。

　　此外，方案還要求發(fā)展相應(yīng)的配套材料和關(guān)鍵設(shè)備，包括著力突破硅基LED芯片加工關(guān)鍵設(shè)備金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積(MOCVD)，力爭(zhēng)到2020年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收200億元。配套能力完善工程重點(diǎn)項(xiàng)目包括江西省木林森光電科技有限公司年產(chǎn)800萬(wàn)平米LED燈具線路板項(xiàng)目(新余)。

　　方案同時(shí)公布了相關(guān)保障措施，包括加大財(cái)政投入、強(qiáng)化金融支持、落實(shí)稅收等相關(guān)政策、完善補(bǔ)貼措施等。

　　硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管簡(jiǎn)介

　　具有節(jié)能環(huán)保意義的LED照明產(chǎn)業(yè)，是國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。國(guó)際上現(xiàn)有三條LED照明 技術(shù)路線，分別是藍(lán)寶石 襯底、碳化硅 襯底和硅襯底GaN基LED照明技術(shù)路線。其中，前兩條技術(shù)路線分別是以日本和美國(guó)為主發(fā)展起來(lái)的，主要貢獻(xiàn)者分別獲得日美 兩國(guó)最高科技 獎(jiǎng)，藍(lán)寶石襯底技術(shù)路線的三個(gè)主要發(fā)明人還獲得了2014年度的諾貝爾 物理學(xué)獎(jiǎng)，第三條硅襯底LED技術(shù)路線是由我國(guó)發(fā)展起來(lái)的，即為本項(xiàng)目發(fā)明成果。

　　第一條技術(shù)路線是目前產(chǎn)業(yè)界采用的主流技術(shù)路線，第二條技術(shù)路線屬于“貴族”路線，成本高昂，其襯底及LED制備技術(shù)被美國(guó)公司壟斷。藍(lán)寶石襯底技術(shù)則主要掌握在日本公司手中，成本較低，這是目前市場(chǎng)上的主流路線;但藍(lán)寶石晶圓散熱較差，晶體垂直生長(zhǎng)困難很難做到大尺寸、無(wú)法制作垂直結(jié)構(gòu)的器件，襯底也較難剝離。而第三條路線就是中國(guó)自主發(fā)展起來(lái)的硅襯底技術(shù)，它彌補(bǔ)了前兩大技術(shù)路線之不足。

　　在硅襯底上制備高光效LED一直是學(xué)術(shù)界夢(mèng)寐以求的目標(biāo)。然而由于硅和GaN巨大的晶格失配和熱失配導(dǎo)致的外延膜龜裂、晶體質(zhì)量差，以及襯底不透明導(dǎo)致的出光效率低等問(wèn)題長(zhǎng)期未能解決，致使業(yè)界普遍認(rèn)為 ，在硅上制備高光效GaN基LED是不可能的，幾乎被判“死刑”。本項(xiàng)目經(jīng)過(guò)三千多次實(shí)驗(yàn)，終于在國(guó)際上率先攻克了這一世界難題，所生產(chǎn)的硅襯底LED各項(xiàng)指標(biāo)在同類研究中均處于國(guó)際領(lǐng)先地們，并與前兩條技術(shù)路線水平持平。在350mA下硅襯底功率型藍(lán)光LED光功率高達(dá)657mW，電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)60%，封裝成冷白光光通量達(dá)155lm，光效達(dá)146 lm/w，50mA電流下光效達(dá)到191 lm/w。

　　襯底又稱基板，主要用于LED芯片制造過(guò)程中作為外延層生長(zhǎng)，起支撐和固定作用。它與外延層的特性配合要求比較嚴(yán)格，否則會(huì)影響到外延層的生長(zhǎng)，進(jìn)而影響LED芯片的品質(zhì)。

　　評(píng)價(jià)襯底材料要綜合考慮以下幾個(gè)因素：

　　襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配

　　襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配

　　襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配

　　材料制備的難易程度及成本的高低