聯(lián)創(chuàng)光電:小功率紅外LED年產(chǎn)能達12億粒
摘要: 聯(lián)創(chuàng)光電證券部人士對記者表示,目前小功率紅外LED年產(chǎn)能為12億粒,主要應用于遙控領域;而大功率紅外LED還處于小批量試產(chǎn)當中,主要應用于安防領域。
聯(lián)創(chuàng)光電證券部人士對記者表示,目前小功率紅外LED年產(chǎn)能為12億粒,主要應用于遙控領域;而大功率紅外LED還處于小批量試產(chǎn)當中,主要應用于安防領域。
上述人士進一步表示,大功率紅外LED項目募集資金在2012年年底就到賬,但目前進度低于預期。公司2013年年報解釋,現(xiàn)階段公司結合市場變化,對功率型紅外外延、芯片進行產(chǎn)品升級,完善產(chǎn)品結構,故審慎利用募集資金,引進設備,擴大產(chǎn)能,因此本項目進度未達到原定計劃。
據(jù)了解,公司旗下的南昌欣磊光電科技公司與廈門華聯(lián)電子有限公司都著力于紅外LED的研發(fā)與生產(chǎn),其中欣磊偏重于紅外外延、芯片,而華聯(lián)偏重于紅外LED器件的封裝與應用。公司介入紅外LED領域較早,擁有著從芯片、封裝到終端的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,并且掌握了核心技術。
上述人士指出,大功率紅外LED主要是指波長為850nm LED器件,小功率紅外LED主要是指波長940nm LED器件。
公司表示,公司將構建涵蓋“外延材料-芯片-器件封裝-應用產(chǎn)品”的紅外產(chǎn)業(yè)鏈,紅外外延材料以內(nèi)部配套為主,在低端遙控發(fā)射管、光敏器件應用等領域。紅外芯片方面,通過技術改進,不斷提升850nm、940 nm 紅外芯片的技術指標和合格率及經(jīng)營規(guī)模。
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