陶氏化學于韓國天安設的三甲基鎵新廠動工興建
摘要： 美國化工業(yè)龍頭陶氏化學(Dow Chemical Co.)子公司Dow Electronic Materials宣布，其位于南韓天安(Cheonan)的三甲基鎵(TMG)新廠已經動工興建，預計2011年初便可投產。
美國化工業(yè)龍頭陶氏化學(Dow Chemical Co.)子公司Dow Electronic Materials宣布，其位于南韓天安(Cheonan)的三甲基鎵(TMG)新廠已經動工興建，預計2011年初便可投產。
三甲基鎵為一種有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)的前驅物質，對于LED以及其他化合物半導體元件的生產極為重要。
Dow Electronic Materials指出，韓國天安新廠，為2010年6月宣布的分階段擴產計劃當中的一環(huán)。這項整體擴產計劃，年產能可望增加60噸。而美國現(xiàn)有廠區(qū)的產能擴增計劃正如期進行中，2010年底至2011年Q1間將陸續(xù)有新產能開出。
Dow Electronic Materials目前在美國麻州North Andover生產三甲基鎵與其他有機金屬前驅物，封裝工作則在North Andover與臺灣桃園兩地進行。陶氏化學與液晶玻璃基板暨光纖大廠康寧(Corning)合資公司Dow Corning Corp.在韓國Jincheon另設有一座專門生產LED用硅膠的工廠。
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