投資要點(diǎn)：
　　我們建議從戰(zhàn)略角度來(lái)看待中國(guó)IGBT行業(yè)的投資機(jī)會(huì)。我們認(rèn)為中國(guó)IGBT市場(chǎng)未來(lái)五年將保持復(fù)合25%以上增速增長(zhǎng)，市場(chǎng)容量由09年35億元成長(zhǎng)至100億元。而未來(lái)本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新突破推動(dòng)中國(guó)IGBT市場(chǎng)出現(xiàn)“進(jìn)口替代”的現(xiàn)象，從而凸顯本土企業(yè)的投資價(jià)值。
　　節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟(jì)，這意味著未來(lái)提高能效成為經(jīng)濟(jì)發(fā)展的首要因素，這無(wú)疑推動(dòng)功率市場(chǎng)加速繁榮。而IGBT是功率器件的大勢(shì)所趨，成為投資首選。
　　IGBT正處在發(fā)展初期，技術(shù)的成熟與應(yīng)用領(lǐng)域的壯大推動(dòng)IGBT市場(chǎng)高成長(zhǎng)。我國(guó)智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)與家電節(jié)能領(lǐng)域成為IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的主體。
　　我們認(rèn)為我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)已經(jīng)初具規(guī)模，同時(shí)擁有本土市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)（智能電網(wǎng)建設(shè)、高鐵建設(shè)與全球最大的家電制造基礎(chǔ)），這有利于本土企業(yè)獲得更好的成長(zhǎng)。
　　我們認(rèn)為2010年將是華微電子基本面發(fā)生改變的第一年，隨著功率市場(chǎng)繁榮，華微電子未來(lái)業(yè)績(jī)將獲得高速的增長(zhǎng)。而以IGBT為代表的新一代功率器件的突破更提升其投資價(jià)值，成為目前功率器件投資最佳標(biāo)的。

　　1、技術(shù)突破：目前公司6寸MOSFET生產(chǎn)線已經(jīng)獲得良好的技術(shù)突破，已經(jīng)能夠生產(chǎn)出1200V/35A的IGBT器件，產(chǎn)量約為4000片/月，若算上VDMOS/D-MOS產(chǎn)品，該生產(chǎn)線月產(chǎn)已達(dá)10000片。
　　2、模式轉(zhuǎn)變：由代工企業(yè)轉(zhuǎn)變?yōu)樽凿N企業(yè)。這有利于企業(yè)更直接分享中國(guó)功率市場(chǎng)繁榮，提升企業(yè)的發(fā)展空間與競(jìng)爭(zhēng)力。
　　3、業(yè)績(jī)反轉(zhuǎn)：傳統(tǒng)業(yè)務(wù)借助家電內(nèi)需、節(jié)能燈市場(chǎng)繁榮而加速?gòu)?fù)蘇。麥吉柯廠隨著自銷市場(chǎng)開(kāi)拓提升其收入增長(zhǎng)與利潤(rùn)增長(zhǎng)。IGBT等中高端功率器件量產(chǎn)帶來(lái)業(yè)績(jī)?cè)隽俊?br>　　我們預(yù)測(cè)華微電子2010年~2012年EPS分別為0.26、0.40與0.57元。未來(lái)業(yè)績(jī)?nèi)杂谐A(yù)期可能。建議投資者積極配置。