中國(guó)證券網(wǎng)訊（記者 王偉麗） 華微電子2012年度報(bào)告顯示實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入105506.73萬(wàn)元，同比下降3.92%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)4291.67萬(wàn)元，同比下降57.82 %。每股收益0.06元，比上年同期下降60%。
　　公司解釋營(yíng)業(yè)收入下降的原因是因?yàn)?012年全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境持續(xù)低迷，半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇。雖然經(jīng)過(guò)努力公司產(chǎn)品銷(xiāo)量在保持原有市場(chǎng)份額的基礎(chǔ)上取得了一定的增長(zhǎng)，但是抵不過(guò)產(chǎn)品價(jià)格的下降。
　　據(jù)分析，雖然宏觀環(huán)境不佳，但是公司自主研發(fā)的產(chǎn)品對(duì)提高市場(chǎng)占有率及銷(xiāo)售收入發(fā)揮了積極作用。中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)隨著自身技術(shù)及工藝平臺(tái)的不斷升級(jí)，目前已進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)的中、高端領(lǐng)域，產(chǎn)品更新速度較快，華微電子根據(jù)市場(chǎng)需求及自身資源進(jìn)行新產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)保持了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。公司全力推進(jìn)的IGBT、MOSFET系列化產(chǎn)品具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。其中，自主創(chuàng)新研發(fā)的JTE工藝使產(chǎn)品性能進(jìn)一步優(yōu)化、產(chǎn)品成本更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)；IGBT產(chǎn)品以及改進(jìn)后的可控硅產(chǎn)品產(chǎn)生了一批較大的應(yīng)用客戶(hù)群；第三代MOSFET產(chǎn)品和TRENCH工藝平臺(tái)在市場(chǎng)上得到了較高的認(rèn)可度；產(chǎn)品因性?xún)r(jià)比較高受到了客戶(hù)的歡迎。
　　同日公布的一季報(bào)顯示，歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)較上年同期數(shù)增加4962262.04元，增加比例68.7%，這主要是因?yàn)楣镜臓I(yíng)業(yè)收入在增加、產(chǎn)能利用率在不斷提升。這說(shuō)明公司盈利能力在不斷增強(qiáng)，2013年公司將在市場(chǎng)增量、新器件增量、新領(lǐng)域增量方面有優(yōu)異的表現(xiàn)。