上海證券報12月9日訊 通富微電今日公告，公司擬斥資10億元開始啟動三期工程、擴建二期工程。此舉主要是鑒于全球宏觀經(jīng)濟(jì)已逐步復(fù)蘇，半導(dǎo)體行業(yè)將于2010年進(jìn)入景氣周期，公司擬抓住發(fā)展機遇，擴大生產(chǎn)規(guī)模，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，同時也是為了解決目前廠房即將飽和的矛盾。

此次擬開工建設(shè)的三期工程建筑面積約2.6萬平方米，二期擴建工程建筑面積約1萬平方米。包括基本建設(shè)、動力設(shè)備和生產(chǎn)設(shè)備的總投資預(yù)計10億元。項目資金來源為自有資金和銀行項目貸款。

公司稱，工程建設(shè)完成后將用于8英寸、12英寸NEW-WLP、BUMP 新型封裝的研究開發(fā)及其量產(chǎn)，BGA、FCBGA、QFN、LQFP 產(chǎn)品的擴產(chǎn)，形成BGA、FCBGA、QFN、LQFP產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)能力。上述產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于3G 手機、移動電視、無線射頻網(wǎng)絡(luò)、汽車電子、消費電子等領(lǐng)域。

通富微電表示，三期工程以及二期工程擴建的具體投資計劃和方案由總經(jīng)理負(fù)責(zé)制定，兩個工程計劃于批準(zhǔn)后正式動工建設(shè)。