□ 本報記者 曹衛(wèi)新

今日，通富微電披露，公司擬與關聯(lián)公司富士通半導體株式會社（簡稱“富士通半導體”）合作，建立研發(fā)平臺，利用半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機遇加快先進封裝技術成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。

據(jù)悉，研發(fā)中心設在公司，研發(fā)中心主任由公司董事長石明達擔任，兩名副主任分別由雙方各推薦一名擔任，富士通半導體將委派3-4名研發(fā)人員在研發(fā)中心工作。雙方共同協(xié)商制定研發(fā)中心的研發(fā)戰(zhàn)略、方向及項目。在今后1-2年內(nèi)，研發(fā)的重點是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA 等技術。至于研發(fā)過程中形成的專利技術，根據(jù)貢獻度確定專利所有，雙方均可使用該項專利技術。

雙方已于2010年8月30日簽署了 《合作設立研發(fā)中心意向書》，具體合作事宜有待于進一步協(xié)商，并通過簽署正式協(xié)議的方式確定。公司表示，研發(fā)中心的設立，將加大公司研發(fā)新型封裝產(chǎn)品和技術的力度，不僅有利于公司綜合技術水平的提升，還將加快先進封裝技術成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。同時，對優(yōu)化公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)產(chǎn)品技術處于行業(yè)領先地位的目標也會產(chǎn)生實質(zhì)性的積極作用。